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该杂志刊期列表
- 2026年
- 1期
国内刊号：51-1125/TN
国际刊号：1001-3806
发布日期:
作者：何新, 张巧璇, 江孝伟, 王继超, 项璟, 陈曦, 孙浩, 单金鑫
关键词：材料, Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S, 第一性原理, 广义梯度近似, 卤族元素
为了拓展单层Bi2O2S的带隙可调控范围，采用第一性原理计算方法系统研究了单层Bi2O2S表面卤族元素Y（Y为F, Cl, Br, I）钝化后的材料结构和电子特性。使用广义梯度近似（GGA-PBE）泛函和杂化密度泛函（HSE06）分别计算了单层Bi2O2S—Y（Y为F, Cl, Br, I）体系的能带结构等，并对不同基组泛函所得结果进行了对比分析。结果表明，当表面采用F、Cl、Br、I不同终端原子钝化时，单层Bi2O2S的结构几乎保持不变；F、Cl、Br终端原子倾向于从裸露的Bi2O2S层获得电子，而I终端原子则倾向于丢失少量电子；钝化后的单层Bi2O2S具有可在较大范围内（1.249 eV~1.996 eV）调节的间接带隙，具体值取决于表面钝化的卤族元素Y种类。表面卤族元素钝化可以有效调节2维Bi2O2S的带隙，这对于2维Bi2O2S在光电等领域的应用具有一定指导意义。
来源：2025年第5期
《激光技术》期刊编辑部
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