激光技术

作者：赵泽, 王春锐, 王锐, 郭劲, 郑长彬

关键词：激光技术, 激光干扰, 脉冲累积效应, 电荷耦合器件

为了研究电荷耦合器件（CCD）和互补金属氧化物半导体（CMOS）两种典型图像传感器在532 nm纳秒脉冲激光作用下的干扰效果，基于ISO-21254的测试方法，分别在大气和真空环境下开展了532 nm纳秒脉冲激光干扰CCD和CMOS的实验研究；对比分析了50 ms的曝光时间内，不同作用脉冲数对干扰效果的影响，并对比了大气与真空条件下的干扰效果。结果表明，532 nm纳秒激光对CCD和CMOS具有明显的干扰效应，均出现了光学饱和现象，且CCD存在“反饱和”与“饱和串音”现象；随着作用脉冲数的增加，饱和像素数随激光能量密度线性增长，且作用脉冲数越多，增长速度越快；CCD在真空中的干扰效果优于大气中的，而 CMOS 在大气中的干扰效果更为明显，且CMOS比CCD具有更好的抗532 nm纳秒脉冲激光干扰的能力。此研究结果为实际应用环境中探测器的选择提供了参考依据。

来源：2025年第4期

《激光技术》期刊编辑部

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