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该杂志刊期列表
- 2026年
- 1期
国内刊号：51-1125/TN
国际刊号：1001-3806
发布日期:
作者：陶晓强, 李天义, 徐尉宗, 周东, 任芳芳, 陆海
关键词：传感器技术, 雪崩光电二极管, 主动淬灭电路, 4H-SiC, 单光子探测
为了对比不同类型淬灭电路对4H-SiC雪崩光电二极管(APD)探测性能的影响，采用被动淬灭电路(PQC)和主动淬灭电路(AQC)，对两种类型SiC紫外APD进行了单光子探测实验，发现在PQC较长死区时间内，会频发后脉冲现象，导致APD的暗计数率(DCR)较高，从而降低器件的信噪比；对APD后脉冲概率的时间分布进行了研究，并进一步对AQC在更高器件过偏压下单光子探测中出现的问题进行了分析，提出了电路改进方案。结果表明，通过将AQC死区时间调整至45 ns，在相同单光子探测效率下，可将器件DCR减少至原先水平的1/4；通过有效抑制后脉冲和加快APD恢复速度，AQC可使器件展现出更加优越的探测性能。此研究为SiC APD在单光子探测中的应用提供了一定的参考。
来源：2024年第6期
《激光技术》期刊编辑部
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